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Monolithic Power Systems Inc. 芯源系统

MPS

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封装图 商品描述 综合参数 封装规格/资料 价格(含税) 购买数量/库存 操作
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品牌： Monolithic Power Systems Inc.复制 MPS 芯源系统
描述： IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
参数： *驱动配置:半桥 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:10V ~ 16V 逻辑电压 :0.8V，2.5V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:350mA，350mA *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:80 V 上升/下降时间（典型值）:50ns，30ns 工作温度:-40°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型
替代：
驱动配置：半桥
通道类型：独立式
驱动器数：2
栅极类型：N 沟道 MOSFET
电压 - 电源：10V ~ 16V
输入类型：非反相
丝印：(请登录)
外壳：
封装：8-SOIC
料号：P4-27
包装： 2500个/ 卷带（TR）
参考价格:￥3.503000
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品牌： Monolithic Power Systems Inc.复制 MPS 芯源系统
描述： IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8QFN
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替代：
驱动配置：半桥
通道类型：独立式
驱动器数：2
栅极类型：N 沟道 MOSFET
电压 - 电源：9V ~ 18V
输入类型：非反相
丝印：(请登录)
外壳：
封装：8-QFN（3x3）
料号：P4-105
包装： 5000个/ 卷带（TR）
参考价格:￥3.503000
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品牌： Monolithic Power Systems Inc.复制 MPS 芯源系统
描述： IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 10QFN
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驱动器数：2
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替代：
驱动配置：半桥
通道类型：独立式
驱动器数：2
栅极类型：N 沟道 MOSFET
电压 - 电源：10V ~ 16V
输入类型：非反相
丝印：(请登录)
外壳：
封装：8-SOIC
料号：P4-120
包装： 100个/ 管件
参考价格:￥3.503000
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料号：P4-506
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替代：
驱动配置：半桥
通道类型：独立式
驱动器数：2
栅极类型：N 沟道 MOSFET
电压 - 电源：9V ~ 18V
输入类型：非反相
丝印：(请登录)
外壳：
封装：8-QFN（3x3）
料号：P4-516
包装： 500个/ 卷带（TR）
参考价格:￥3.503000
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可供数量:咨询
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品牌： Monolithic Power Systems Inc.复制 MPS 芯源系统
描述： IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 10QFN
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输入类型：非反相
丝印：
外壳：
封装：8-SOICE
料号：P4-518
包装： 100个/ 管件
参考价格:￥3.503000
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可供数量:咨询
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描述： IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
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丝印：
外壳：
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参考价格:￥3.503000
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品牌： Monolithic Power Systems Inc.复制 MPS 芯源系统
描述： IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 10QFN
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替代：
驱动配置：半桥
通道类型：独立式
驱动器数：2
栅极类型：N 沟道 MOSFET
电压 - 电源：4.5V ~ 18V
输入类型：非反相
丝印：(请登录)
外壳：
封装：10-QFN（3x3）
料号：P4-3856
包装： 500个/ 卷带
参考价格:￥3.503000
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描述： IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
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品牌： Monolithic Power Systems Inc.复制 MPS 芯源系统
描述： IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
参数： *驱动配置:半桥 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:10V ~ 16V 逻辑电压 :0.8V，2.5V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:350mA，350mA *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:80 V 上升/下降时间（典型值）:50ns，30ns 工作温度:-40°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:9V ~ 18V 逻辑电压 :1V，2.4V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:2.5A，2.5A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:100 V 上升/下降时间（典型值）:12ns，9ns 工作温度:-40°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:9V ~ 16V 逻辑电压 :1V，2.4V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:2.5A，2.5A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:100 V 上升/下降时间（典型值）:12ns，9ns 工作温度:-40°C ~ 140°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:9V ~ 18V 逻辑电压 :1V，2.4V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:2.5A，2.5A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:100 V 上升/下降时间（典型值）:12ns，9ns 工作温度:-40°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 18V 逻辑电压 :1V，2.4V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:2.5A，2.5A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:100 V 上升/下降时间（典型值）:12ns，9ns 工作温度:-40°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 18V 逻辑电压 :1V，2.4V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:2.5A，2.5A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:100 V 上升/下降时间（典型值）:12ns，9ns 工作温度:-40°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:10V ~ 16V 逻辑电压 :0.8V，2.5V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:350mA，350mA *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:80 V 上升/下降时间（典型值）:50ns，30ns 工作温度:-40°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:9V ~ 18V 逻辑电压 :1V，2.4V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:2.5A，2.5A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:115 V 上升/下降时间（典型值）:12ns，9ns 工作温度:-40°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:9V ~ 16V 逻辑电压 :1V，2.4V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:- *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:100 V 上升/下降时间（典型值）:15ns，9ns 工作温度:-40°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:同步 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:10V ~ 12V 逻辑电压 :- 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:- *输入类型:- 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:- 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:同步 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:10V ~ 12V 逻辑电压 :- 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:- *输入类型:- 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:- 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:9V ~ 18V 逻辑电压 :1V，2.4V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:2.5A，2.5A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:100 V 上升/下降时间（典型值）:12ns，9ns 工作温度:-40°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 18V 逻辑电压 :1V，2.4V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:2.5A，2.5A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:100 V 上升/下降时间（典型值）:12ns，9ns 工作温度:-40°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:9V ~ 18V 逻辑电压 :1V，2.4V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:2.5A，2.5A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:100 V 上升/下降时间（典型值）:12ns，9ns 工作温度:-40°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:9V ~ 16V 逻辑电压 :1V，2.4V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:2.5A，2.5A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:100 V 上升/下降时间（典型值）:12ns，9ns 工作温度:-40°C ~ 140°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:9V ~ 18V 逻辑电压 :1V，2.4V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:2.5A，2.5A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:115 V 上升/下降时间（典型值）:12ns，9ns 工作温度:-40°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:9V ~ 16V 逻辑电压 :1V，2.4V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:- *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:100 V 上升/下降时间（典型值）:15ns，9ns 工作温度:-40°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 18V 逻辑电压 :1V，2.4V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:2.5A，2.5A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:100 V 上升/下降时间（典型值）:12ns，9ns 工作温度:-40°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:9V ~ 18V 逻辑电压 :1V，2.4V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:2.5A，2.5A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:120 V 上升/下降时间（典型值）:12ns，9ns 工作温度:-40°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:9V ~ 18V 逻辑电压 :1V，2.4V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:2.5A，2.5A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:120 V 上升/下降时间（典型值）:12ns，9ns 工作温度:-40°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型
替代：
驱动配置：半桥
通道类型：独立式
驱动器数：2
栅极类型：N 沟道 MOSFET
电压 - 电源：9V ~ 18V
输入类型：非反相
丝印：
外壳：
封装：8-SOICE
料号：P4-5158
包装： 2500个/ 卷带（TR）
参考价格:￥3.503000
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock,`gys_id`,`gys_zq` FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MP1921HN-A-LF-Z' ) AND ( `Gsxx_sx` <> '国际商城平台' ) LIMIT 1
现货库存:0
可供数量:咨询
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